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        分子束外延薄膜用超高純臭氧系統介紹

        來源:www.senadis.com 作者:同林臭氧 時間:2024-05-15 17:15

        分子束外延薄膜用超高純臭氧系統介紹

        主要配件

        配備3套低溫蒸發源(100~1100℃),控溫精度±0.1℃,坩堝容量10cc 配套2套中溫蒸發源(300~1500℃),控溫精度±0.1℃,坩堝容量10cc 配備15KeV高能電子衍射系統和圖像采集CCD 配備射頻等離子源(433MHz) 配備電子束蒸發源 配備液化型超高純臭氧系統

        主要參數

        適用1英寸及以下襯底; 襯底加熱可達950℃;

        儀器介紹

        儀器名稱(中文/英文)分子束外延薄膜制備系統(MBE)
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        規格型號定制
        儀器功能介紹
        可外延生長Pt,  ?。粒?,?。校涞冉饘賳尉П∧?,Ga2O3,?。桑裕?,?。裕椋希驳妊趸锇雽w薄膜以及GaN,  ?。桑睿蔚劝雽w薄膜,用于二維材料、量子器件、超導、半導體、納米器件、光學及其他材料薄膜沉積研發
        性能指標
        1、適用1英寸及以下襯底;
        2、襯底加熱可達950℃;
        3、配備3套低溫蒸發源(100~1100℃),控溫精度±0.1℃,坩堝容量10cc
        4、配套2套中溫蒸發源(300~1500℃),控溫精度±0.1℃,坩堝容量10cc
        5、腔體本底真空優于5x10-10mbar(完全烘烤后)
        樣品要求
        樣片直徑應為1英寸以下的晶圓或不規則碎片;
        儀器說明
        1、配備15KeV高能電子衍射系統和圖像采集CCD,能夠檢測薄膜生長,實現原子層級精準控制,電子束光斑大?。迹罚唉蹋?,最大電子束束流340μA;
        2、配備射頻等離子源(433MHz),可實現氧、氮等離子體的產生;
        3、配備電子束蒸發源:Max高壓是2kV,加熱絲燈絲電流Max4.5A,束流穩定性<0.01A/s=0.2層/min;
        4、配備液化型超高純臭氧系統,液化池出口臭氧濃度>99.5%,最大臭氧濃度15%


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        液化型超高純臭氧系統



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